[发明专利]一种混合键合结构及混合键合方法

摘要

本发明涉及半导体混合键合领域，尤其涉及一种混合键合结构及混合键合方法，该混合键合结构包括相对设置的第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆具有第一键合面，第二晶圆具有第二键合面，第一键合面上覆盖有第一绝缘层，第一绝缘层中设置有多块第一金属垫，第二键合面上覆盖有第二绝缘层，第二绝缘层中设置有多块第二金属垫；第一绝缘层中还设置有第一开关层，第一开关层位于第一金属垫和第一键合面之间，和/或，第二绝缘层中还设置有第二开关层，第二开关层位于第二金属垫和第二键合面之间。本发明通过引入开关层提高待键合晶圆表面平整度，不需要引进新的平坦化研磨剂和特种机台即可实现待键合晶圆表面的平整，有利于后续的连线键合。

主权项

一种混合键合结构，包括相对设置的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一键合面，所述第二晶圆具有第二键合面，其特征在于，所述第一键合面上覆盖有第一绝缘层，所述第一绝缘层中设置有多块第一金属垫，所述第二键合面上覆盖有第二绝缘层，所述第二绝缘层中设置有多块第二金属垫；以及所述第一绝缘层中还设置有第一开关层，所述第一开关层位于所述第一金属垫和所述第一键合面之间，和/或，所述第二绝缘层中还设置有第二开关层，所述第二开关层位于所述第二金属垫和所述第二键合面之间。