[发明专利]一种基于超表面窄带滤光的多光谱芯片及其制备方法有效
申请号: | 201611261268.6 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN106847849B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 鱼卫星;杨靖忠;仝晓刚;胡炳樑 | 申请(专利权)人: | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;B82Y40/00 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 汪海艳 |
地址: | 710119 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供一种基于超表面窄带滤光的多光谱芯片,包括面阵图像传感器和超表面结构滤光片阵列,所述超表面结构滤光片阵列包括两层纳米膜钝化层及位于两层纳米膜钝化层之间的金属纳米孔周期阵列结构;所述超表面结构滤光片阵列位于面阵图像传感器上;所述金属纳米孔周期阵列结构包括金属介质膜层,所述金属介质膜层上具有不同尺寸的周期性纳米孔阵列。本发明通过在同一厚度金属介质膜层上制备不同尺寸的周期性纳米结构阵列,实现对目标图像在多光谱谱段上的窄带滤光;本发明适用于更精细的图谱信息采集,在图像传感器表面制备金属纳米周期性结构,实现面阵多光谱芯片,在工艺上更易于实现,并具有广泛的适用性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 表面 窄带 滤光 光谱 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于超表面窄带滤光的多光谱芯片,其特征在于:包括面阵图像传感器和超表面结构滤光片阵列,所述超表面结构滤光片阵列包括两层纳米膜钝化层及位于两层纳米膜钝化层之间的金属纳米孔周期阵列结构;所述超表面结构滤光片阵列位于面阵图像传感器上;所述金属纳米孔周期阵列结构包括金属介质膜层,所述金属介质膜层上具有不同尺寸的周期性纳米孔阵列;所述金属纳米孔周期阵列结构包括N个相同的滤光区域,每一个滤光区域由M种不同结构参数的金属纳米孔阵列组成,其中该M种不同结构参数的金属纳米孔阵列的纳米孔径大小分别为D1、D2,……DM,周期大小分别为P1、P2,……PM,每种金属纳米孔阵列视为一个滤光片单元,所述滤光片单元的大小与图像传感器像元大小相同,其中N和M均为大于等于2的正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的