[发明专利]钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池有效

专利信息
申请号: 201611256820.2 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN107046027B 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 薛超;高鹏;张无迪;刘如斌;孙强;肖志斌;王宇 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十八研究所
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L21/603
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 代理人: 李凤
地址: 300384 天津市滨海*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池;其特征在于:包括如下步骤:步骤1、分别制备多结砷化镓电池和钙钛矿电池;步骤2、在多结砷化镓电池和钙钛矿电池表面通过光刻和镀膜工艺制备金属栅线;步骤3、通过金属键合工艺将多结砷化镓电池和钙钛矿电池键合集成在一起。本发明采用高禁带宽度的钙钛矿太阳能电池作为子电池代替多结砷化镓太阳能电池的顶电池,解决三结以上多结砷化镓太阳能电池高禁带宽度的顶电池制备困难的问题。显著提高了三结以上多结砷化镓太阳能电池的光电转换效率。采用金属键合的方式,将钙钛矿太阳能电池和多结砷化镓太阳能电池通过金属栅线级联起来,方便的实现了异质集成,工艺成熟重复性好。
搜索关键词: 钙钛矿 砷化镓异质 集成 太阳能电池 制造 方法 电池
【主权项】:
1.一种钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法,其特征在于:至少包括如下步骤:步骤101、分别制备多结砷化镓电池和钙钛矿电池;所述多结砷化镓电池至少包含三结子电池;其中,第一个子电池的带隙为0.6eV~0.8eV,第二个子电池的带隙为0.8eV~1.1eV,第三个子电池的带隙为1.3eV~1.5eV;步骤102、在多结砷化镓电池和钙钛矿电池表面通过光刻和镀膜工艺制备金属栅线;步骤103、通过金属键合工艺将多结砷化镓电池和钙钛矿电池键合集成在一起。
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