[发明专利]一种背结背接触太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201611255784.8 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN106531816B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 孙昀;贾锐;姜帅;陶科;孙恒超;戴小宛;金智;刘新宇 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/048
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种背结背接触太阳能电池,包括,基片;复合在所述基片前表面的受光复合层;复合在所述基片背表面的第二钝化层和第一电极复合层;所述第二钝化层和所述第一电极复合层交替设置;复合在所述第二钝化层表面的第二型掺杂半导体层;设置在所述第二型掺杂半导体层上的第二电极。本发明提出的载流子选择的背结背接触太阳能电池,利用第二型掺杂半导体层载流子选择性的特性,将第二型掺杂半导体层设置于钝化层上作为电池背光面的发射极,而金属直接与发射极电接触。由于发射极具有优异表面钝化、只允许多数载流子纵向输运的载流子选择特性,且具有电池制备工艺简单、成本低的特点。
搜索关键词: 一种 背结背 接触 太阳能电池
【主权项】:
1.一种背结背接触太阳能电池,其特征在于,包括:基片;所述基片为第一型;复合在所述基片前表面的受光复合层;复合在所述基片背表面的第二钝化层和第一电极复合层;所述第二钝化层和所述第一电极复合层交替设置;所述第二钝化层为隧穿钝化层;所述第一电极复合层包括:复合在所述基片背表面的第一型掺杂半导体层;所述第一型掺杂半导体层表面的一部分接触有第一电极,所述第一型掺杂半导体层表面的其余部分复合有第一钝化层;复合在所述第二钝化层表面的第二型掺杂半导体层;设置在所述第二型掺杂半导体层上的第二电极;当所述第一型为N型时,所述第二型为P型;当所述第一型为P型时,所述第二型为N型;所述基片背表面具有凸起和凹槽交替分布的结构。
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