[发明专利]一种背结背接触太阳能电池有效
| 申请号: | 201611255784.8 | 申请日: | 2016-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN106531816B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
| 发明(设计)人: | 孙昀;贾锐;姜帅;陶科;孙恒超;戴小宛;金智;刘新宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种背结背接触太阳能电池,包括,基片;复合在所述基片前表面的受光复合层;复合在所述基片背表面的第二钝化层和第一电极复合层;所述第二钝化层和所述第一电极复合层交替设置;复合在所述第二钝化层表面的第二型掺杂半导体层;设置在所述第二型掺杂半导体层上的第二电极。本发明提出的载流子选择的背结背接触太阳能电池,利用第二型掺杂半导体层载流子选择性的特性,将第二型掺杂半导体层设置于钝化层上作为电池背光面的发射极,而金属直接与发射极电接触。由于发射极具有优异表面钝化、只允许多数载流子纵向输运的载流子选择特性,且具有电池制备工艺简单、成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 背结背 接触 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种背结背接触太阳能电池,其特征在于,包括:基片;所述基片为第一型;复合在所述基片前表面的受光复合层;复合在所述基片背表面的第二钝化层和第一电极复合层;所述第二钝化层和所述第一电极复合层交替设置;所述第二钝化层为隧穿钝化层;所述第一电极复合层包括:复合在所述基片背表面的第一型掺杂半导体层;所述第一型掺杂半导体层表面的一部分接触有第一电极,所述第一型掺杂半导体层表面的其余部分复合有第一钝化层;复合在所述第二钝化层表面的第二型掺杂半导体层;设置在所述第二型掺杂半导体层上的第二电极;当所述第一型为N型时,所述第二型为P型;当所述第一型为P型时,所述第二型为N型;所述基片背表面具有凸起和凹槽交替分布的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





