[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201611254146.4 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN107134476A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 林俊铭;陈华丰;潘国华;谢旻谚;巫嘉豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露内容提供一种半导体装置。半导体装置包含晶体管的第一栅极电极、第一侧壁间隔件、第一绝缘层及第二侧壁间隔件。第一侧壁间隔件沿栅极图案的侧壁配置。第一绝缘层接触第一侧壁间隔件并具有平坦化的顶面。第二侧壁间隔件形成于第一绝缘层的平坦化顶面。第二侧壁间隔件可形成于第一间隔件上方。第二侧壁间隔件的宽度等于或大于第一侧壁间隔件的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包含：一晶体管的一第一导电栅极图案；一第一侧壁间隔件，沿着该栅极图案的一侧壁配置；一第一绝缘层，接触该第一侧壁间隔件并具有平坦化后的一顶面；以及一第二侧壁间隔件，形成于该第一绝缘层的平坦化后的该顶面上及该第一侧壁间隔件上方，其中第二侧壁间隔件的一宽度等于或大于该第一侧壁间隔件的一宽度。
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