[发明专利]一种制作高效玻璃钝化芯片工艺

摘要

本发明公开了一种制作高效玻璃钝化芯片工艺,步骤如下,在做完硼、磷扩散的硅片晶圆的磷面与硼面分别覆上光刻胶并进行无线条曝光；选择金刚石划片刀,从晶圆硼面中部下刀,在晶圆硼面的横向与纵向进行切割开槽,横向与纵向的沟槽之间围合成单个晶体芯片,并依次进行混合酸腐蚀、去胶清洗、烘干、玻璃钝化、镀镍、电性能测试、划片、裂片,以获得单个二极管芯片。本工艺制出的二极管芯片具有优势:保证芯片尺寸不变,可明显增加芯片有效面积,从而使芯片VF大大减小,提高其正向浪涌能力,减少发热量,延长芯片使用寿命；保证芯片有效面积不变,能保证更小尺寸芯片的电参数性能符合要求,从而提高硅片利用率,降低成本保持市场竞争力。

主权项

1.一种制作高效玻璃钝化芯片工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤，S1，在做完硼、磷扩散的硅片晶圆的磷面与硼面分别覆上光刻胶，并进行无线条曝光；S2，选择刀片宽度介于60μm‑100μm的金刚石划片刀，并将划片刀装夹到加工设备上，调试好基准高度；S3，将步骤S1中获得的覆有光刻胶的晶圆硼面朝上，放置在割机加工平台上，设定好刀片切割机留底高度与切割尺寸，等待启动切割指令；S4，划片刀从晶圆硼面中部下刀，在晶圆硼面的横向与纵向进行切割开槽，横向与纵向的沟槽之间围合成单个晶体芯片，所述沟槽的宽度为60‑100μm，沟槽的底部靠近P型半导体层的内表面但不穿过P型半导体层的内表面；S5，采用混合酸腐蚀液对晶圆的P型半导体层进行选择性化学腐蚀，混合酸腐蚀液进入沟槽中进行8分钟以下的腐蚀，将沟槽的宽度腐蚀到190μm—210μm，腐蚀的深度深入P型半导体层与N型半导体层之间的P—N结处20—30μm；混合酸腐蚀液由浓硫酸、浓硝酸、氢氟酸、冰乙酸按照3:11:6:5的比例混合而成；S6，对步骤S5中获得的晶圆进行去胶清洗、烘干；S7，在沟槽底部腐蚀出的P—N结处表面涂覆上玻璃粉浆，在750℃—850℃范围内，进行烧结，形成P—N结处的钝化玻璃保护层；S8，用化学镀镍的方法，在获得的晶圆两表面镀上镍层并进行合金，使镍与硅形成欧姆接触，在P型半导体层与N型半导体层上分别获得金属欧姆接触电极；S9，用全自动探针测试台对玻璃钝化晶圆中的晶体芯片进行电性能测试，将不合格的晶体芯片打上墨点；S10，将测试完成后的玻璃钝化晶圆，用激光切割机进行切割并人工分裂成单个晶体芯片。