[发明专利]激光辅助晶化Ge/Si衬底上Ge/GaAs双结太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号： | 201611250913.4 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269880A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 陕西省西安市高新区高新路86号领先时代*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光辅助晶化Ge/Si衬底上Ge/GaAs双结太阳能电池及其制作方法，包括：(a)制备衬底层，所述衬底层材料为单晶硅；(b)利用磁控溅射法在所述衬底层上用两步法工艺生长Ge外延层，所述衬底层和所述Ge外延层构成Ge/Si衬底；(c)利用CVD方法在所述Ge外延层上形成氧化层；(d)采用LRC工艺使所述Ge外延层晶化；(e)刻蚀清除所有所述氧化层；(f)在所述Ge/Si衬底上制备Ge/GaAs双结太阳能电池层；(g)在所述太阳能电池层上制备接触层和反射膜层，最终形成所述Ge/GaAs双结太阳能电池。本发明激光辅助晶化Ge/Si衬底上Ge/GaAs双结太阳能电池的制作方法通过连续激光辅助晶化Ge/Si衬底，可有效降低Ge/Si衬底的位错密度，利于获得高质量Ge/Si衬底Ge/GaAs双结太阳能电池，电转化效率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 双结 太阳能电池 晶化 衬底层 外延层 激光辅助 制备 太阳能电池层 氧化层 制作 磁控溅射法 两步法工艺 单晶硅 反射膜层 连续激光 电转化 接触层 刻蚀 位错 生长 | ||
【主权项】：
1.一种激光辅助晶化Ge/Si衬底上Ge/GaAs双结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：(a)制备衬底层，所述衬底层材料为单晶硅；(b)利用磁控溅射法在所述衬底层上用两步法工艺生长Ge外延层，所述衬底层和所述Ge外延层构成Ge/Si衬底；(c)利用CVD方法在所述Ge外延层上形成氧化层；(d)采用LRC工艺使所述Ge外延层晶化；(e)刻蚀清除所有所述氧化层；(f)在所述Ge/Si衬底上制备Ge/GaAs双结太阳能电池层；(g)在所述太阳能电池层上制备接触层和反射膜层，最终形成所述Ge/GaAs双结太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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