[发明专利]闪存存储结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种闪存存储结构及其制造方法。该方法包括：在衬底结构上淀积多晶硅层；利用所述多晶硅层形成浮栅和覆盖在浮栅上的场氧结构；在所述浮栅底部的边角处形成保护侧墙；在场氧结构及浮栅上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成控制栅。上述闪存存储结构及方法，通过在浮栅底部边角处形成保护侧墙，在后续形成隧穿氧化层后，即使经历多次湿法腐蚀，隧穿氧化层的底部边角处被腐蚀，也会被保护侧墙阻止进一步腐蚀。控制栅不会形成尖角，可以有效地防止电子反隧穿。进一步地，保护侧墙采用不易被电子隧穿的氮化硅材料，也可以有效防止电子反隧穿。所形成的半导体器件擦除更加稳定。

主权项

1.一种闪存存储结构的制造方法，包括：在衬底结构上淀积多晶硅层；利用所述多晶硅层形成浮栅和覆盖在浮栅上的场氧结构；对所述浮栅底部的边角处形成保护侧墙；在场氧结构及浮栅上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成控制栅。