[发明专利]一体化晶体谐振器及其加工方法在审
| 申请号： | 201611249049.6 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106656095A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 阎立群;郝建军;周荣伟;杨铁生 | 申请（专利权）人： | 唐山国芯晶源电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/19 | 分类号： | H03H9/19;H03H3/02 |
| 代理公司： | 唐山永和专利商标事务所13103 | 代理人： | 张云和 |
| 地址： | 064100 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一体化晶体谐振器及其加工方法，晶体谐振器包括振子晶片基座、电极，振子基座由压电材料通过掩膜、化学腐蚀制成，振子晶片基座的上表面、下表面均设有凹陷区，凹陷区内分别设有上电极、下电极；凹陷区的深度大于上电极或下电极的厚度；上电极、下电极在振子晶片基座的两端分别设有金属引出线；振子晶片基座的上方分别连接固定上盖板、下基板；下基板的底面的两端分别设有焊盘，焊盘与上电极或下电极的金属引出线连接；上盖板、下基板与振子晶片基座的材质相同。本发明可以避免产生附加的频率偏移；避免机械研磨工艺，提高成品率；另外，还避免了现有技术采用单片加片方法，对于小型化的产品加工效率低且一致性较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一体化 晶体 谐振器 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一体化晶体谐振器，包括振子晶片基座、电极，其特征在于：所述的振子基座由压电材料通过掩膜、化学腐蚀制成，振子晶片基座的上表面、下表面均设有凹陷区，凹陷区内分别设有上电极、下电极；凹陷区的深度大于上电极或下电极的厚度；上电极、下电极在振子晶片基座的两端分别设有金属引出线；振子晶片基座的上方分别连接固定上盖板、下基板；下基板的底面的两端分别设有焊盘，焊盘与上电极或下电极的金属引出线连接；上盖板、下基板与振子晶片基座的材质相同。
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