[发明专利]一种闪存存储单元

摘要

本发明提供一种闪存存储单元。该闪存存储单元包括硅衬底、导体、绝缘层和源漏，导体位于硅衬底的上方，导体分为第一导体和第二导体，第一导体位于第二导体之上，绝缘层将第一导体和第二导体分隔开并包围在内，其中，硅衬底分为第一N掺杂区、第二N掺杂区、第三N掺杂区、第一P掺杂区和第二P掺杂区，第一N掺杂区将第一P掺杂区和第二P掺杂区分隔开，第二N掺杂区与第三N掺杂区作为源漏，源漏的第二N掺杂区作为源极，源漏的第三N掺杂区作为漏极，源极和漏极均为N掺杂区，第一P掺杂区、第一导体、源极和漏极分别接线引出。本发明闪存存储单元在编程的擦和写过程中，电子分别通过不同区域氧化层，减少了氧化层陷阱电荷产生的概率，提高可靠性。

主权项

1.一种闪存存储单元，包括硅衬底、导体、绝缘层和源漏，导体位于硅衬底的上方，导体分为第一导体和第二导体，第一导体位于第二导体之上，绝缘层将第一导体和第二导体分隔开并包围在内，其特征在于，硅衬底分为第一N掺杂区、第二N掺杂区、第三N掺杂区、第一P掺杂区和第二P掺杂区，第一N掺杂区将第一P掺杂区和第二P掺杂区分隔开，第二N掺杂区与第三N掺杂区作为源漏，源漏的第二N掺杂区作为源极，源漏的第三N掺杂区作为漏极，源极和漏极均为N掺杂区，第一P掺杂区、第一导体、源极和漏极分别接线引出；编程时，在写过程中，第一导体加正偏压，源极接地，漏极加正偏压，使沟道中有电子流过，电子通过热载流子注入效应，穿过绝缘层进入到第二导体；在擦过程中，第一P掺杂区加正电压，第一导体加负偏压，电子从第二导体隧穿进入第一P掺杂区，实现擦操作，在擦过程中，第二P掺杂区与第一N掺杂区形成的耗尽层阻止第一P掺杂区到第二P掺杂区导电；在读过程中，第一导体加正电压，源极接地，漏极加正偏压，通过量测源极和漏极之间的电流来判断闪存存储单元的存储状态；当闪存存储单元处在写入后状态时，即第二导体存在过量电子，则第二P掺杂区无法形成导电沟道，源极和漏极之间无法导通；当闪存存储单元处在擦除后状态时，即第二导体过量电子被导出，则第二P掺杂区在第一导体的电压作用下形成导电沟道，源极和漏极之间导通。