[发明专利]GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201611247545.8 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269874A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备方法,包括(a)选取Si衬底；(b)利用磁控溅射法，在所述Si衬底上形成Ge外延层；(c)利用CVD方法，在所述Ge外延层上形成氧化层；(d)利用LRC工艺对所述Ge外延层进行晶化；(e)利用干法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层；(f)利用MOCVD工艺，在所述Ge外延层上形成GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池层，以完成所述GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备。本发明实施例采用LRC工艺制备GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池，通过连续LRC使Ge横向结晶生长，从而减少由于晶格失配引起的位错，制备出具有品质优良的衬底的GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 三结太阳能电池 外延层 制备 衬底 氧化层 干法刻蚀工艺 磁控溅射法 工艺制备 横向结晶 晶格失配 晶化 刻蚀 位错 生长 | ||
【主权项】：
1.一种GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括:(a)选取Si衬底；(b)利用磁控溅射法，在所述Si衬底上形成Ge外延层；(c)利用CVD方法，在所述Ge外延层上形成氧化层；(d)利用LRC工艺对所述Ge外延层进行晶化；(e)利用干法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层；(f)利用MOCVD工艺，在所述Ge外延层上形成GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池层，以完成所述GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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