[发明专利]Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201611247544.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269879A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/0687 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池及其制备方法，其中，所述制备方法包括：选取Si衬底，在所述Si衬底上生长Ge外延层形成Ge/Si衬底；在所述Ge/Si衬底表面形成SiO2氧化层；用激光再晶化工艺使所述Ge外延层晶化并刻蚀所述SiO2氧化层；在所述Ge外延层上制备GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池层；制备接触电极以完成Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备；本发明中所述Ge/Si衬底是由磁控溅射经两步法形成薄的Ge外延层，再用激光再晶化工艺使Ge横向结晶生长，可有效降低Ge/Si衬底的位错密度。同时，Si衬底上Ge薄膜厚度也较前述常见方法更薄，从而更有利于光的透过。因此，通过本发明制备的高质量的Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池将获得更高的光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 制备 三结太阳能电池 外延层 晶化 激光 光电转化效率 衬底表面 磁控溅射 横向结晶 接触电极 生长 两步法 刻蚀 位错 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：(a)选取Si衬底，在所述Si衬底上生长Ge外延层形成Ge/Si衬底；(b)在所述Ge/Si衬底表面形成SiO2氧化层；(c)用激光再晶化工艺使所述Ge外延层晶化并刻蚀所述SiO2氧化层；(d)在所述Ge外延层上制备GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池层；(e)在所述GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池层上制备GaAs接触层和反射膜；(f)制备接触电极以完成Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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