[发明专利]带CMOS温度传感器的温度补偿型半导体应变计在审
| 申请号： | 201611247078.9 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108253877A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 邱华诚;李绪国;王雄;袁明权;张凤田;高扬;郭海潮 | 申请（专利权）人： | 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 吕岩甲 |
| 地址： | 621000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体应变测试技术领域，具体涉及一种带CMOS温度传感器的温度补偿型半导体应变计。包括：由四个压敏电阻组成的应变敏感器件，四个压敏电阻尺寸相同，相互连接并组建Wheatstone全桥；由两个CMOS晶体管组成的温度敏感器件，两个CMOS晶体管尺寸相同，位于Wheatstone全桥的四个压敏电阻中间；CMOS晶体管和Wheatstone全桥共用一个恒压激励源，且其负激励端接地，两个CMOS晶体管的基极直接连至全桥输入端的接地端，两个CMOS晶体管的集电极均由外部固定电阻连接至恒压激励源，且这两个外部固定电阻阻值不同。本发明通过用不同的驱动电流驱动两个相邻且等尺寸的晶体管，消除因晶体管各项寄生物理量及工艺偏差等引起的误差，从而增加了测量温度的精准度。 | ||
| 搜索关键词： | 全桥 压敏电阻 半导体 恒压激励源 温度补偿型 温度传感器 固定电阻 应变计 晶体管 物理量 温度敏感器件 应变敏感器件 工艺偏差 驱动电流 应变测试 接地 激励端 集电极 接地端 精准度 外部 寄生 测量 驱动 组建 | ||
【主权项】：
1.一种带CMOS温度传感器的温度补偿型半导体应变计，其特征在于：包括：由四个压敏电阻组成的应变敏感器件，四个压敏电阻尺寸相同，相互连接并组建Wheatstone全桥；由两个CMOS晶体管组成的温度敏感器件，两个CMOS晶体管尺寸相同，位于Wheatstone全桥的四个压敏电阻中间；CMOS晶体管和Wheatstone全桥共用一个恒压激励源，且其负激励端接地，两个CMOS晶体管的基极直接连至全桥输入端的接地端，两个CMOS晶体管的集电极均由外部固定电阻连接至恒压激励源，且这两个外部固定电阻阻值不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所，未经中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611247078.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
