[发明专利]基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器在审
| 申请号： | 201611245006.0 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106785273A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李鹏;季佳恺;芮义斌;谢仁宏;郭山红 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01P1/208 | 分类号： | H01P1/208 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 薛云燕 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器，包括上层介质基片和下层介质基片，上层介质基片设置有上金属层，下层介质基片设置有下金属层，上、下层介质基片之间设置中间金属层；所述上层介质基片设置有两段金属化通孔，下层介质基片相应的位置设置两端金属化通孔；所述上下金属层均为等腰直角三角形；一条馈电微带线在上金属层斜边靠端点的位置与之相连，另一条馈电微带线在相应的位置与下金属层相连；所述中间金属层上设置有一个矩形的孔隙以及一个扇形的孔隙。本发明具有很好的频率选择性和带外抑制性能，同时大大缩减了体积，兼具低损耗、高功率容量的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 分之一 模基片 集成 波导 频率 选择性 带通滤波器 | ||
【主权项】：
一种基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器，其特征在于，该滤波器基于八分之一模基片集成波导，包括上层介质基片(2)和下层介质基片(13)，所述上层介质基片(2)的上表面设置有上金属层(1)，下层介质基片(13)的下表面设置有下金属层(11)，上层介质基片(2)、下层介质基片(13)之间设置中间金属层(8)；所述上层介质基片(2)设置有第一排金属化通孔(3)、第二排金属化通孔(5)，下层介质基片(13)相应的位置设置第三排金属化通孔(9)、第四排金属化通孔(10)；所述上金属层(1)、下金属层(11)均为等腰直角三角形；第一条馈电微带线(4)设置于上层介质基片(2)，且与上金属层(1)的斜边相接；第二条馈电微带线(12)设置于下层介质基片(13)，且与下金属层(11)的斜边相接；所述中间金属层(3)设置一个矩形的第一孔隙(6)，以及一个扇形的第二孔隙(7)。
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