[发明专利]一种晶圆切割装置和方法

摘要

本发明公开一种晶圆切割装置和方法。该晶圆切割装置包括刻蚀单元、气体供给单元和化学反应液供给单元。其中，刻蚀单元，包括夹片具和导流罩，夹片具包括承载盘和气体通路，承载盘对待切割晶圆进行固定并且设置有多个气孔，气体通路设置于所述承载盘下方，导流罩为三层结构，包括外层、中层和内层，外层与中层间形成有第一中空夹层，中层与内层间形成有第二中空夹层，位于夹片具上方且间距可调，对化学反应液及保护气体的流向进行规范。根据本发明能够以较低成本实现将大晶圆切割为小晶圆，满足半导体业界研发中，一部分工艺需要在大尺寸尖端设备上完成，另一部分工艺在小尺寸设备中完成的需求，有利于进一步降低研发成本。

主权项

1.一种晶圆切割装置，其特征在于，包括：刻蚀单元、气体供给单元和化学反应液供给单元，所述刻蚀单元包括夹片具和导流罩，其中，所述夹片具包括承载盘和气体通路，所述承载盘对待切割晶圆进行固定并且设置有多个气孔，所述气体通路设置于所述承载盘下方，所述导流罩为三层结构，包括外层、中层和内层，外层与中层间形成有第一中空夹层，中层与内层间形成有第二中空夹层，位于所述夹片具上方且间距可调，对化学反应液及保护气体的流向进行规范；气体供给单元，与所述导流罩相连，分别向所述导流罩的内层和第二中空夹层中通入保护气体，还与所述气体通路相连，并通过所述气孔向所述承载盘供给保护气体；以及化学反应液供给单元，与所述导流罩相连，向所述第一中空夹层中通入化学反应液。