[发明专利]硅片提拉装置及其控制方法

摘要

本发明涉及一种硅片提拉装置，包括加热炉以及控制系统，加热炉内设置有钳锅，熔化区上方固定设置加热器，加热炉设置有进料管以及进气嘴，主区上方固定设置有换热器；籽晶棒与舱门外设置的提拉机构连接；加热炉上还设置有第一高温计和第二高温计。一种控制方法，a、向钳锅的溶化区中加入硅料，对熔化区内的硅料进行加热融化；b、籽晶进入腔体后，接触熔体，保持3‑5min，然后开启换热器，反转电机，使籽晶棒向外移动；当提拉机构触发限位开关后，提拉机构向上运动截断硅片。采用此方法获得的硅片由于结晶时不会被坩埚污染，所以杂质含量少，材料损耗预期减少50%。

主权项

一种硅片提拉装置，其特征是，包括加热炉（1）以及控制系统，所述加热炉（1）内设置有钳锅（2），所述钳锅（2）内设置有隔板（3），该隔板（3）将钳锅（2）内腔分隔为熔化区和主区，所述隔板（3）上开设有流通间隙用于使熔化区和主区连通，熔化区上方固定设置加热器（5），所述加热炉（1）的左侧设置有用于插入钳锅（2）的熔化区进料管（4）以及用于向钳锅（2）内通入惰性气体的进气嘴，进料管（4）连通原料罐和熔化区，进料管（4）上设置有用于控制进料量的料泵，主区上方固定设置有用于控制硅片生长时温度梯度的换热器；所述加热炉（1）的右侧开设舱门，舱门外设置有可经舱门自由伸入钳锅（2）主区的籽晶棒（6），所述籽晶棒（6）与舱门外设置的提拉机构连接；所述加热炉（1）上还设置有第一高温计（7）和第二高温计（8），所述第一高温计（7）用于探测主区内左侧溶液温度，所述第二高温计（8）用于探测主区内右侧籽晶提拉时的温度梯度；所述控制系统分别与料泵、加热器（5）、换热器的电磁阀、提拉机构、第一高温计（7）和第二高温计（8）连接。