[发明专利]压力传感器及其制备方法有效
申请号: | 201611237468.8 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106768520B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 胡友根;赵涛;朱朋莉;张愿;朱玉;梁先文;孙蓉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | G01L1/22 | 分类号: | G01L1/22 |
代理公司: | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人: | 范盈 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种压力传感器及其制备方法,所述压力传感器包括两个外接电极和两个相对设置的具有弹性的衬底,至少一个衬底的接触面上有凸起结构,接触面为两个衬底相对的一面,衬底为导电体,每个衬底连接一个外接电极,凸起结构的表面覆盖有导电层。从而,既利用了弹性导电衬底本身在压力作用下产生形变而导致电阻发生变化的压阻效应,又利用了衬底在压力作用下其凸起结构表面的导电层接触面积改变而导致接触电阻发生变化的效应,通过二者的协同作用极大的扩大了压力检测范围,并且相对现有技术中在两个衬底之间夹设电路层的方式,本发明实施例中的导电层在凸起结构形变时其接触面积变化更大,因此进一步提高了压力传感器的灵敏度和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院深圳先进技术研究院,未经中国科学院深圳先进技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611237468.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。