[发明专利]一种栅阵列无结半导体沟道存储器结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种栅阵列无结半导体沟道存储器结构及其制备方法，该结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底之上的绝缘层；位于所述绝缘层上采用二维半导体材料的半导体沟道；位于所述半导体沟道上的栅电荷俘获结构；位于所述栅电荷俘获结构之上的碳纳米管栅阵列；以及分别位于所述碳纳米管栅阵列两端，并分别与所述半导体沟道连接的源接触电极和漏接触电极。本发明的存储器结构以二维半导体材料沟道代替传统的硅掺杂沟道，并采用了金属碳纳米管栅阵列，改善了栅极电荷俘获性能，简化了器件结构，可进一步提高存储阵列密度。

主权项

1.一种栅阵列无结半导体沟道存储器结构，其特征在于，包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述半导体衬底之上；半导体沟道，位于所述绝缘层上，采用二维半导体材料；栅电荷俘获结构，位于所述半导体沟道上，由下至上依次包括隧道层、电荷俘获层和阻挡层；碳纳米管栅阵列，位于所述栅电荷俘获结构之上，包括多个碳纳米管以及分别引出所述多个碳纳米管的多个栅接触电极；源接触电极和漏接触电极，分别位于所述碳纳米管栅阵列两端，并分别与所述半导体沟道连接。