[发明专利]一种太阳能电池的双面扩散工艺

摘要

本发明公开了一种太阳能电池的双面扩散工艺，该工艺采用的固态杂质源氧化镓，该杂质性能稳定，成分简单，均匀性好，工艺过程工艺简洁，成本低，易与现有生产线和生产设备相兼容。

主权项

1.一种太阳能电池的双面扩散工艺，其特征在于它采用固态氧化镓作为杂质源，双面扩散步骤前还包括一个SiO2氧化层的形成步骤；太阳能电池的双面扩散工艺的具体步骤为：a)晶体硅片预处理：选取N型晶体硅片，将晶体硅片制绒后清洗；b)氧化层形成：将步骤a)得到的晶体硅片放入氧化工序的石英管内，反应条件：O2：8～10L/M，H2：12～14L/M，t：50～60min，T：850℃；c)双面扩散：将用于扩散源的氧化镓粉末放入陶瓷坩埚中，将陶瓷坩埚和步骤b)得到的晶体硅片一起装入石英管内，反应条件：T＝1150℃t＝85～95min，N2＝600～700ml/minH2：65～75ml/min，方块电阻：40～50Ω/sq。