[发明专利]一种用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜制备方法、该方法制备的薄膜及包含该薄膜的太阳电池

摘要

本发明属于薄膜太阳电池技术领域，提供了一种用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜制备方法、该方法制备的薄膜及包含该薄膜的太阳电池；该方法包括如下步骤：(1)在衬底温度450℃至550℃时，通过真空多源共蒸发法蒸发Cu、ZnS、Sn和Se；蒸发腔室的压强为3×10^‑4Pa；(2)降低衬底温度，通过真空多源共蒸法蒸发Se和Sn；蒸发腔室的压强为3×10^‑4Pa；(3)在衬底温度500℃至550℃时，通入氮气，使蒸发腔室内压强为10⁴Pa，单独蒸发Se。采用后硒化的方法处理共蒸法制备的铜锌锡硫硒薄膜，使薄膜中的各种二元相相互化合再结晶，形成锌黄锡矿结构，可以改善薄膜的结晶质量，减少杂质二元相在薄膜中的含量。

主权项

1.一种用于太阳电池的铜锌锡硫硒薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底温度450℃至550℃时，通过真空共蒸发法蒸发Cu、ZnS、Sn和Se；蒸发腔室的压强为3×10^‑4Pa；步骤2：降低衬底温度，通过真空共蒸法蒸发Se和Sn；蒸发腔室的压强为3×10^‑4Pa；步骤3：在衬底温度500℃至550℃时，通入氮气，使蒸发腔室内压强为10⁴Pa，单独蒸发Se。