[发明专利]层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法

摘要

本发明提供一种层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法，所述方法包括：1)提供第一硅衬底，刻蚀形成硅柱阵列；2)于所述第一硅衬底及硅柱阵列表面形成实现选择性外延生长的阻挡层；3)形成疏水有机分子膜；4)提供第二硅衬底，于所述第二硅衬底表面制作水凝胶薄膜；5)于所述水凝胶薄膜中溶胀刻蚀液；6)将步骤3)获得的结构倒扣于溶胀过刻蚀液的水凝胶薄膜中，刻蚀去除所述硅柱阵列顶端的所述疏水有机分子膜和阻挡层，暴露出硅柱阵列顶端，形成籽晶阵列；7)去除剩余的所述疏水有机分子膜。通过本发明的方法可以制备洁净度高、力学稳定性好且重复利用率高的籽晶衬底，利用该籽晶衬底，后续可以制备高质量的单晶薄晶片。

主权项

1.一种层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法，其特征在于，所述方法至少包括：1)提供第一硅衬底，刻蚀所述第一硅衬底形成硅柱阵列；2)于所述第一硅衬底以及硅柱阵列表面形成能够实现选择性外延生长的阻挡层；3)于所述阻挡层表面形成疏水有机分子膜；4)提供第二硅衬底，于所述第二硅衬底表面制作水凝胶薄膜；5)于所述水凝胶薄膜中溶胀刻蚀液；6)将步骤3)获得的结构倒扣于溶胀过刻蚀液的所述水凝胶薄膜中，利用所述刻蚀液刻蚀去除所述硅柱阵列顶端的所述疏水有机分子膜和阻挡层，暴露出硅柱阵列顶端，形成籽晶阵列；7)去除剩余的所述疏水有机分子膜。