[发明专利]一种制备磁性隧道结的方法有效
| 申请号： | 201611228193.1 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108242502B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张云森;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁性隧道结的制造方法,采用了多次氧化与离子束刻蚀的流程，彻底消除了磁性随机存储器记忆层和参考层短路通道的形成，有利于MRAM回路磁性性能、电学性能和产品良率的提升，可用于制造超小型磁性随机存储器的结构单元。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 磁性 隧道 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备磁性隧道结的方法，其特征在于，其形成步骤为：步骤S1：在表面抛光的CMOS基底上，依次形成底电极、磁性隧道结和硬掩模膜层；步骤S2：图形化定义所述磁性隧道结图案，并转移所述图案到所述磁性隧道结的顶部；步骤S3：部分刻蚀所述磁性隧道结；步骤S4：部分氧化未被刻蚀的所述磁性隧道结和被刻蚀的所述硬掩模膜层或所述磁性隧道结侧壁，缩小所述磁性隧道结截面积；步骤S5：以所述硬掩模为掩模，离子束刻蚀未被刻蚀的所述磁性隧道结底部和/或所述底电极层；步骤S6：电介质填充空隙，并采用化学机械抛光磨平直到所述硬掩模膜层的顶部。
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