[发明专利]一种图像传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201611224806.4 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107068699B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 杨冰;周伟;胡少坚;耿阳;肖慧敏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种图像传感器的制备方法，包括：在衬底表面依次形成底部隔离层、第一层金属互连线、第一层隔离层和第一层隔离层中的第一层金属接触孔；再重复循环上述过程，直至形成N层隔离层以及相应层的金属互连线和金属接触孔；在第N层隔离层和第N层金属接触孔上依次形成第N+1层金属互连线和第N+1层隔离层；在对应于焊盘结构区域的第N+1层隔离层中刻蚀出初始焊盘结构，在对应于相邻像素分界处的第N+1层隔离层中刻蚀出隔离结构；在暴露的第N+1层金属互连线顶部形成金属电极；在初始焊盘结构中刻蚀出焊盘开口；在金属电极表面和暴露的第N+1层隔离层表面覆盖一层量子点薄膜。本发明的方法与CMOS工艺兼容，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
