[发明专利]半导体结构

摘要

本发明的一些实施例提供一种半导体结构，包括：衬底、在衬底中的辐射感测区域以及衬底中的沟槽，其包括在沟槽的内壁上方的衬垫、在衬垫上方的FSG层、在FSG层上方的氧化物层以及在氧化物层上方的反射材料。半导体结构的辐射感测区域包括多个辐射感测单元。半导体结构的沟槽分隔至少两个辐射感测单元。半导体结构的FSG层包括至少2原子百分比的游离氟和约500埃至约1300埃的厚度。

主权项

一种半导体结构，包括：衬底；辐射感测区域，位于所述衬底中，所述辐射感测区域包括多个辐射感测单元；沟槽，位于所述衬底中，分离所述辐射感测单元中的至少两个，其中所述沟槽包括：位于所述沟槽的内壁上方的衬垫；位于所述衬垫上方的掺氟硅酸盐玻璃(FSG)层，其中所述掺氟硅酸盐玻璃层包含至少2原子百分比的游离氟和从500至1300埃的厚度；位于所述掺氟硅酸盐玻璃层上方的氧化物层；和位于所述氧化物层上方的反射材料。