[发明专利]一种指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构的制备方法在审
| 申请号： | 201611222326.4 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108242378A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王晓辉 | 申请（专利权）人： | 成都莹鑫海科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制备方法，通过四个步骤实现，步骤1中非故意掺杂的AlN缓冲层的厚度为10‑200nm；步骤2中p型指数掺杂GaN光电发射层的厚度为100‑200nm，其掺杂浓度范围在1016‑1019cm‑3且掺杂浓度从体内到表面按指数规律依次减小；步骤3中超高真空系统中的真空度达到或优于10‑8Pa量级，对材料表面进行加热净化时的温度为700‑9000C，加热时间为10‑30分钟；最终制备出具有负电子亲和势的指数掺杂结构GaN紫外光电阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 紫外光电阴极材料 指数掺杂 加热 掺杂 超高真空系统 负电子亲和势 指数掺杂结构 紫外光电阴极 光电发射层 依次减小 指数规律 掺杂的 体内 净化 | ||
【主权项】：
1.一种指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在双面抛光的蓝宝石衬底的上表面，通过半导体材料的外延生长工艺生长非故意掺杂的AlN缓冲层；步骤2、通过外延生长工艺以及III‑V族化合物半导体材料的p型掺杂工艺，在步骤1获得的AlN缓冲层上生长p型指数掺杂GaN光电发射层作为光电发射材料；步骤3、利用化学清洗去除步骤2得到的阴极材料表面油脂及加工过程中残存的无机附着物；然后将其送入超高真空系统中，对材料表面进行加热净化，使材料表面达到原子级洁净程度；步骤4、在上述p型GaN材料表面通过激活工艺吸附单层Cs或多层Cs/O，以形成Cs或Cs/O激活层，最终制备出具有负电子亲和势的指数掺杂结构GaN紫外光电阴极。
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