[发明专利]一种硅外延片的制造方法有效
| 申请号： | 201611221262.6 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106757324B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 刘勇;金龙;谭卫东 | 申请（专利权）人： | 南京国盛电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种外延片的制造方法，其技术工艺在于：采用单片常压硅外延设备，首先要选择合适的H2流量、温度和时间来对衬底硅片进行烘烤处理，去除表面的自然氧化层，保证外延前表面质量。第一层外延生长：在高浓度掺杂的衬底表面生长一层不掺杂的本征层，对衬底表面进行包封；控制本征层的生长温度、生长速率和生长时间，以达到理想的包封效果。第二层外延生长：采用SiHCl3作为硅源，加大主H2流量，通入合适流量HCl，以降低生长速率，生长较薄厚度符合器件要求的外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 衬底表面 外延生长 本征层 包封 高浓度掺杂 自然氧化层 衬底硅片 硅外延片 合适流量 烘烤处理 技术工艺 器件要求 掺杂的 第一层 硅外延 前表面 速率和 外延层 外延片 常压 单片 硅源 去除 制造 保证 | ||
【主权项】：
1.一种硅外延片的制造方法,其特征在于，包括以下步骤：(1)、对基座进行HC1高温处理，去除基座上残余的反应物，并淀积一层本征多晶硅；(2)、冷却基座后载入衬底硅片；(3)、进行硅片烘烤；(4)、第一层外延生长：在衬底表面生长一层本征层，对衬底表面进行包封；(5)、第二层外延生长：第二层外延生长时将HCl和TCS同时通入，其中通入0.5‑1slm流量的HCl、2‑5g流量的TCS和120‑180slm流量的H2。
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