[发明专利]一种微流控芯片的封装方法有效
| 申请号： | 201611220984.X | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106531646B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 邓永波;纪元;吴一辉;刘永顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 130033 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微流控芯片的封装方法，该封装方法包括：提供第一基板及第二基板；在所述第一基板的第一表面形成凹槽状微通道结构；在所述第一基板的表面及所述第二基板的表面形成热塑薄膜层；在所述第二基板的第一表面覆盖有机粘结剂；将所述第一基板的第一表面盖于所述第二基板的第一表面上形成一体封装结构；对所述一体封装结构进行加热处理，直至所述有机粘结剂完全挥发。该封装方法解决了微流控芯片中微流控结构龟裂的问题，且保证了微流控芯片的高强度性、高可靠性及透光性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微流控 芯片 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微流控芯片的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：提供第一基板及第二基板；在所述第一基板的第一表面形成凹槽状微通道结构；在所述第一基板的表面及所述第二基板的表面形成热塑薄膜层；在所述第二基板的第一表面覆盖有机粘结剂；将所述第一基板的第一表面盖于所述第二基板的第一表面上形成一体封装结构；对所述一体封装结构进行加热处理，直至所述有机粘结剂完全挥发；其中，所述热塑薄膜层为Parylene薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
