[发明专利]一种高电子迁移率晶体管背孔刻蚀的终点监控方法

摘要

本发明提供一种高电子迁移率晶体管背孔刻蚀的终点监控方法，在器件正面工艺的布线层交替生长两种金属形成周期性金属层，周期性金属层位于待刻蚀背面通孔的位置上方；该终点监控方法包括以下步骤：S1、获取实时刻蚀光谱信号；S2、判断是否出现周期性光谱信号；S3、如果是，过刻30s后停止刻蚀；S4、如果否，重复执行步骤S2。本发明通过正面布线周期性金属层的周期性叠层设计来提高终点监测系统终点信号的辨识度和灵敏度，提高终点决策的准确性和有效性，特别适合用于暴露面积比例并不算高（<2%）的碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管背孔刻蚀，可明显改善背孔刻蚀时的工艺可靠度，具备较高的实用价值。

主权项

1.一种高电子迁移率晶体管背孔刻蚀的终点监控方法，其特征在于，在器件正面工艺的布线层交替生长两种金属形成周期性金属层，所述周期性金属层位于待刻蚀背面通孔的位置上方；该终点监控方法包括以下步骤：S1、获取实时刻蚀光谱信号，并对光谱信号进行分析；S2、判断是否出现周期性光谱信号；S3、如果是，过刻30s后停止刻蚀；S4、如果否，重复执行步骤S1；所述交替生长的金属为铂和金，或者为镍和金。