[发明专利]一种改善IGBT磷扩散均匀性的方法在审
| 申请号： | 201611219089.6 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106449382A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 唐云;杜龙欢;罗湘;孙小虎 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善IGBT磷扩散均匀性的方法，包括：将磷扩散炉升温至680℃～720℃，通入流量为15slm～30slm的氮气，将放置有需磷扩散的IGBT芯片的小舟推入所述磷扩散炉内；调温至800℃～850℃，通入流量为15slm～30slm的氮气和流量为500sccm～2000sccm的氧气，炉内的APC压力控制在0.05KPA～0.3KPA，在所述IGBT芯片的表面形成氧化阻挡层；保持温度、压力和氮气流量不变，进行第一次磷扩散。所述改善IGBT磷扩散均匀性的方法，通过在IGBT芯片表面形成氧化阻挡层，提升磷扩散的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 igbt 扩散 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种改善IGBT磷扩散均匀性的方法，其特征在于，包括：步骤1，将磷扩散炉升温至680℃～720℃，通入流量为15slm～30slm的氮气，将放置有需磷扩散的IGBT芯片的小舟推入所述磷扩散炉内；步骤2，将所述磷扩散炉调温至800℃～850℃，通入流量为15slm～30slm的氮气和流量为500sccm～2000sccm的氧气，所述磷扩散炉内的APC压力控制在0.05KPA～0.3KPA，在所述IGBT芯片的表面形成氧化阻挡层；步骤3，保持所述磷扩散炉的温度、压力和氮气流量不变，对所述IGBT芯片进行第一次磷扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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