[发明专利]一种等规聚1-丁烯熔体直接结晶生成I′晶的调控方法有效
| 申请号： | 201611217036.0 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108239291B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李景庆;蔡晓倩;蒋世春;尚英瑞 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C08J3/00 | 分类号： | C08J3/00;C08L23/20 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎;张静 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种等规聚1‑丁烯熔体直接结晶生成I′晶的调控方法，采用II晶型的等规聚1‑丁烯进行升温保温和降温的循环加热过程，通过改变循环次数调控熔体中直接结晶生成晶型I′的比例，随着循环次数增加，晶型I′结晶峰占总结晶峰的比例逐渐增加，此方法过程简单，可操作性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 丁烯 直接 结晶 生成 调控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等规聚1‑丁烯熔体直接结晶生成I′晶的调控方法，其特征在于，按照下述步骤进行：步骤1，将等规聚1‑丁烯升温使其含有的I晶全部熔融，然后降至室温20—30摄氏度，形成II晶；步骤2，将步骤1得到的II晶等规聚1‑丁烯升温至晶型II熔融温度并保温，以使全部II晶熔融，再降至室温，完成一个加热保温降温的过程，反复升降温操作即可在iP‑1‑B中生成晶型I′，且随循环次数的增加晶型I′的含量逐渐增加，而晶型II的含量则相应地逐渐降低。
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