[发明专利]固态硬盘读错误检测装置及读不可纠错误原因的检测方法

摘要

本发明公开了一种固态硬盘读错误检测装置及不可纠读错误原因的检测方法，根据导致不可纠读错误的不同原因选择不同的处理策略，从而保证了Flash Page的使用寿命最大化、进而提高SSD的使用寿命。

主权项

1.一种SSD固态硬盘，包括SSD控制器、多个与所述SSD控制器双向通信的NAND Flash；其特征在于，所述SSD控制器包括：/nLDPC Encoder：用于在向NAND Flash写数据时，CPU控制其按照指定的纠错级别对写入数据进行编码、加入校验数据；/nLDPC Decoder：用于在从NAND Flash读数据时，对读数据进行解码、去除校验数据并纠正读数据中的错误bit，同时向CPU报告本次纠错的迭代次数和比特翻转数；如果发生不可纠读错误时，向CPU报告UNC错误；/nSoft Read Offset模块：用于当LDPC Decoder向CPU报告UNC错误后，CPU通过调整读参考电压从NAND Flash读取原始数据并转化为在相应参考电压下的概率信息，然后再经过LDPC Decoder进行软解码纠错,如果UNC错误仍然不可纠，继续调整读参考电压再进行原始数据读取、转化和LDPC软解码纠错，直到达到最大软解码纠错次数为止；/n读干扰管理模块：用于以Flash Block为单位统计读取次数与数据错误信息，确定是否是读干扰导致读UNC错误，且在Flash Block被回收擦除完成后清零；UNC错误为不可纠错误；/nFlash Block最优读参考电压自适应跟踪模块：用于在每个Flash Block擦写次数每增加一定值后则对该Flash Block步进调整读参考电压，成对地读取Flash Block内每一存储单元行线上的各个Flash Page，并根据阈值电压的分布确定出Flash Block最优读参考电压，当发生不可纠读错误时根据Flash Block的当前最优读参考电压与自适应跟踪的最优读参考电压差值确定不可纠读错误是否由Flash数据保持特性导致；/nFlash Block状态管理模块：用于记录每个Flash Block的擦写次数、当前使用的LDPC纠错级别和最优读参考电压，记录Flash Block是否为坏块。/n