[发明专利]一种液晶半导体材料及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201611206500.6 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN108238973A 公开(公告)日: 2018-07-03
发明(设计)人: 孟鸿;陈彦彤;徐秀茹;贺耀武 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: C07C245/08 分类号: C07C245/08;C07D495/04;C07D495/22;C07D519/00;C07D471/06;C09K19/32;C09K19/34;C09K19/24
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 郭伟刚
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种液晶半导体材料及其制备方法和应用。该液晶半导体材料包括有机半导体母核基团、光致变色基团和热致液晶基团,有机半导体母核是整个分子的核心部分,光致变色基团对紫外光和可见光敏感的性质可进行构象或结构上的转变,热致液晶基团赋予分子液晶相的特性从而利用其优越的液晶性质使分子排列更有序,进而实现热致半导体材料并且提高迁移率。采用蒸镀手段将本发明液晶半导体材料制备有机薄膜晶体管,在照射紫外光后器件性能有明显的提升,在紫外光和退火双重作用下器件的性能更是再度提升。此种功能型的半导体材料将实现它们特有的潜质,应用在光电器件中例如智能器件、传感器和功能性开关等等。
搜索关键词: 半导体材料 紫外光 液晶 制备方法和应用 光致变色基团 有机半导体 热致液晶 母核 有机薄膜晶体管 退火 可见光 分子排列 分子液晶 光电器件 器件性能 双重作用 液晶性质 智能器件 迁移率 传感器 构象 蒸镀 制备 照射 敏感 赋予 应用
【主权项】:
1.一种液晶半导体材料,其特征在于,其分子结构式为如下中的任意一种:其中,取代基R为如下中的任意一种:m和n的值为1~15。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学深圳研究生院,未经北京大学深圳研究生院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611206500.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top