[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置在审
| 申请号： | 201611204738.5 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106784014A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 杨维;宁策;胡合合;王珂 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/22;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 刘伟,张博 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置，属于显示技术领域。方法包括形成金属氧化物半导体图形，金属氧化物半导体图形包括第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层，第二金属氧化物半导体层位于第一金属氧化物半导体层上方；在金属氧化物半导体图形上沉积源漏金属层，对源漏金属层和第二金属氧化物半导体层进行刻蚀，形成薄膜晶体管的源电极、漏电极和有源层，有源层为利用第一刻蚀液去除源电极和漏电极之间的第二金属氧化物半导体层后得到，第一刻蚀液对第二金属氧化物半导体层进行刻蚀的速率大于对第一金属氧化物半导体层进行刻蚀的速率。本发明能够提高金属氧化物薄膜晶体管的稳定性，保证显示装置的显示质量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：形成金属氧化物半导体图形，所述金属氧化物半导体图形包括层叠设置的第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层，所述第二金属氧化物半导体层位于所述第一金属氧化物半导体层的上方；在所述金属氧化物半导体图形上沉积源漏金属层，对所述源漏金属层和所述第二金属氧化物半导体层进行刻蚀，形成薄膜晶体管的源电极、漏电极和有源层，其中，所述有源层为利用第一刻蚀液去除所述源电极和所述漏电极之间的所述第二金属氧化物半导体层后得到，所述第一刻蚀液对所述第二金属氧化物半导体层进行刻蚀的速率大于所述第一刻蚀液对所述第一金属氧化物半导体层进行刻蚀的速率。
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