[发明专利]元件格布局结构与形成元件格的方法

摘要

一种鳍式场效晶体管的元件格结构，包含多条在元件格中的多晶硅线以及多个在元件格中的鳍形氧化扩散区域。多晶硅线水平地配置且以节距X平均地间隔。鳍形氧化扩散区域垂直地配置且以节距Y平均地间隔。鳍形氧化扩散区域的节距Y定义出元件格的宽度。元件格结构还包含多个P型与N型金属氧化物半导体晶体管。这些P型与N型金属氧化物半导体晶体管具有形成在鳍形氧化扩散区域的源极节点以及漏极节点，以及连接至多晶硅线的栅极。这些P型与N型金属氧化物半导体晶体管相连在一起以形成元件格中的一或多个互补式金属氧化物半导体装置。

主权项

一种元件格结构，其特征在于，包含：多条在该元件格中的多晶硅线，其中所述多条多晶硅线以一第一方向配置且以一第一节距平均地间隔；多个在该元件格中的鳍形氧化扩散区域，其中所述多个鳍形氧化扩散区域以一第二方向配置且以一第二节距平均地间隔，其中所述多个鳍形氧化扩散区域的该第二节距定义出该元件格的宽度；以及多个在该元件格中的P型金属氧化物半导体晶体管与N型金属氧化物半导体晶体管，其中所述多个P型金属氧化物半导体晶体管与所述多个N型金属氧化物半导体晶体管具有形成在相应的鳍形氧化扩散区域的源极节点以及漏极节点，以及连接至相应的多晶硅线的栅极，其中所述多个P型金属氧化物半导体晶体管与所述多个N型金属氧化物半导体晶体管相连在一起以形成该元件格中的一个或多个互补式金属氧化物半导体装置。