[发明专利]制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法有效
| 申请号： | 201611191110.6 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106783128B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 鲁飞;孙良成;刘小鱼;杨占峰;陈蓓新;刘树峰;邢正茂;张刚;李慧;白洋;王峰;李静雅;郑天仓 | 申请（专利权）人： | 包头稀土研究院;瑞科稀土冶金及功能材料国家工程研究中心有限公司;包头云捷电炉厂 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08;B22F9/04;B22F3/02;B22F3/10 |
| 代理公司： | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人： | 张良 |
| 地址： | 014030 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法，包括：配料、熔炼、速凝铸片；采用物理气相沉积方法，在惰性气氛下将重稀土粒子或者高熔质粒子沉积在钕铁硼薄片上；进行破碎制粉、取向成型、烧结热处理，制备钕铁硼磁体。本发明可使钕铁硼磁体矫顽力显著提高，细化磁体晶粒，大幅降低重稀土元素使用量。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 稀土 矫顽力 钕铁硼 磁体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法，包括如下步骤：(1)配料、熔炼、速凝铸片制备钕铁硼薄片；(2)将步骤(1)所得的钕铁硼薄片进行物理气相沉积：选择Tb金属靶材，抽真空至5.0×10‑3Pa，充入氦气至0.5Pa，将钕铁硼薄片加热到300℃，采用离子镀，调整氩气发射源电流，使Tb粒子沉积速率为50μm/min；(3)将步骤(2)所得的钕铁硼薄片氢破碎、气流磨、取向成型、烧结和热处理，获得钕铁硼磁体；其中，钕铁硼磁体的内禀矫顽力为28.45kOe。
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