[发明专利]一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将经过丙酮、酒精、去离子水等严格超声波清洗的衬底置于载物台上。（2）钨W、石墨C两靶材分别置于两个靶基座上，分别进行起辉溅射。（3）通入氩气，辉光放电，Ar+离子轰击靶材，以达到清除靶材表面杂质和氧化物的目的。（4）衬底在镀膜之前进行200C°‑400C°的加热。（5）在进行镀膜过程中，先在C靶上进行镀膜，而后转到W靶上，再转到C靶上，如此反复，达到制备高性能W掺杂类金刚石薄膜。

主权项

1.一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）选用玻璃为衬底，分别用丙酮、酒精、去离子水对衬底进行超声波清洗，以去除衬底表面杂质和油污，然后用热风吹干；（2）溅射腔室中采用钨W、石墨C为独立靶材，钨W靶和石墨C靶可单独进行工艺参数的控制，以制成不同用途及性能特征的钨掺杂类金刚石薄膜；（3）用Ar+离子轰击靶材3‑5分钟，以清洗和活化靶材；（4）把经过清洗的衬底放入溅射腔室，对衬底进行加温，温度在200C°‑400C°；（5）在溅射腔室真空度抽至10‑5Pa时，通入氩气，使钨W、石墨C两靶同时起辉，进行3‑5分钟的预溅射，除去两靶材表面的杂质、污物；（6）进行溅射镀膜时，将衬底在两靶材溅射位置上分别进行分层磁控溅射镀膜，即石墨C靶‑钨W靶‑石墨C靶‑钨W靶‑石墨C靶的位置上如此反复磁控溅射镀膜，进行溅射镀膜时两靶材的工艺参数分别为：钨 W靶：功率50~300W，工作气压0 .2~1 .5Pa，溅射时间5~20min，偏压‑50~‑200W；石墨C 靶：功率50~300W，工作气压0 .5~2 .0Pa，溅射时间10~60min，偏压‑50~‑200W。