[发明专利]多路输入电源和集成电路有效

专利信息
申请号: 201611186615.3 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN106549556B 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 殷明星;邓甫华 申请(专利权)人: 南京矽力杰半导体技术有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00
代理公司: 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 代理人: 刘锋;刘熔
地址: 210023 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 公开了一种多路输入电源和用于构建该电源的集成电路,本发明实施例通过独立的控制环路控制对应的输入支路上设置的晶体管,每个控制环路基于预定的箝位电压和对应的晶体管两端电压来控制所述晶体管,从而可以实现在多个端口同时有输入电压时,可以调节多个输入支路上的晶体管工作在饱和区,将晶体管两端电压箝位在所述预定的箝位电压上,必要时多路输入可以同时提供输入电流,同时,独立的控制环路可以自动控制对应的晶体管根据输入电压的变化导通和关断,避免来回切换并对连接到输入端口的外部电源提供保护。
搜索关键词: 输入 电源 集成电路
【主权项】:
1.一种多路输入电源,包括:功率变换器;第一晶体管,设置于第一端口到功率变换器输入端的支路上;第二晶体管,设置于第二端口到功率变换器输入端的支路上;第一控制环路,用于根据预定的箝位电压和所述第一晶体管两端电压控制所述第一晶体管的控制端;以及第二控制环路,用于根据所述箝位电压和所述第二晶体管两端电压控制所述第二晶体管的控制端;其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管,所述第一晶体管的两端电压为所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源漏电压,所述第二晶体管的两端电压为所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源漏电压。
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