[发明专利]感测装置及物质感测方法

摘要

本发明有关于一种感测装置，包含一探棒及一感测模块；该感测模块包含一物质感测电路、一运算单元及一信号输出电路。该感测模块产生一扫频信号并且传送该扫频信号至该探棒以感测一物质的一状态；该扫频信号为在一预设频率范围内彼此相异频率的多个信号；当该扫频信号接触到该物质时，利用该物质的一等效电容产生一反射信号；该物质感测电路接收该反射信号并传递该反射信号至该运算单元；该运算单元对该反射信号运算以产生一波形信号以判断该物质的该状态；该运算单元利用一阻抗频谱以判断该物质的该状态。

主权项

1.一种感测装置，其特征在于，用以感测一物质的一介电常数的一变化状态，该装置感测装置包含：/n一探棒；及/n一感测模块，该感测模块连接该探棒，/n其中该感测模块包含：/n一物质感测电路；/n一运算单元，该运算单元电性连接至该物质感测电路；及/n一信号输出电路，该信号输出电路电性连接至该运算单元，/n其中该感测模块产生一扫频信号并且传送该扫频信号至该探棒以感测该物质的一状态；该扫频信号为在一预设频率范围内彼此相异频率的多个信号；当该扫频信号接触到该物质时，利用该物质的一等效电容产生一反射信号；该物质感测电路接收该反射信号并传递该反射信号至该运算单元；该运算单元对该反射信号运算以产生一波形信号以判断该物质的该状态；/n其中该运算单元利用一阻抗频谱以判断该物质的该状态；该阻抗频谱界定有多个状态区；该些状态区的每一个分别具有不同的一输出信号；该运算单元应用该波形信号的一信号强度与一分布频率于该阻抗频谱以判断该波形信号在该些状态区的一位置，并据此进行一换算以得到该物质的一物质等效容积以及一物质品质并判断该物质的该状态；依据该波形信号在该些状态区的该位置，该运算单元利用该信号输出电路向外输出该位置的该状态区的该输出信号；/n其中该些状态区包含一测量区、一第一变异区、一第二变异区、一第三变异区及一第四变异区；该测量区位于一事先定义中间频率位置；依据多个预设信号强度边界，该第一变异区、该第二变异区、该第三变异区及该第四变异区分别分布在该测量区的两侧；/n其中在该测量区：一外部环境温度被判定为在一预先设定温度范围，该物质的该介电常数被判定为在一预先设定介电常数范围，该物质的该物质等效容积被判定为超出一预先设定容积范围，该反射信号的一信号强度被判定为超出一预先设定反射强度范围；/n其中在该第一变异区：该外部环境温度被判定为超出该预先设定温度范围，该物质的该介电常数被判定为低于该预先设定介电常数范围，该物质的该物质等效容积被判定为在该预先设定容积范围，该反射信号的该信号强度被判定为超出该预先设定反射强度范围，该物质的该物质品质被判定为改变；/n其中在该第二变异区：该外部环境温度被判定为超出该预先设定温度范围，该物质的该介电常数被判定为高于该预先设定介电常数范围，该物质的该物质等效容积被判定为在该预先设定容积范围，该反射信号的该信号强度被判定为低于该预先设定反射强度范围，该物质的该物质品质被判定为改变；/n其中在该第三变异区：该外部环境温度被判定为在该预先设定温度范围，该物质的该介电常数被判定为高于该预先设定介电常数范围，该物质的该物质等效容积被判定为在该预先设定容积范围，该反射信号的该信号强度被判定为在该预先设定反射强度范围，该物质的该物质品质被判定为改变；/n其中在该第四变异区：该外部环境温度被判定为在该预先设定温度范围，该物质的该介电常数被判定为低于该预先设定介电常数范围，该物质的该物质等效容积被判定为在该预先设定容积范围，该反射信号的该信号强度被判定为在该预先设定反射强度范围，该物质的该物质品质被判定为改变。/n