[发明专利]一种半导体纳米线结构的制备方法在审
| 申请号： | 201611169661.2 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106601611A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 袁献武 | 申请（专利权）人： | 袁献武 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 546200 广西壮族自治区*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体纳米线结构的制备方法，该方法通过光刻及刻蚀，形成宽度间隔加宽的半导体纳米线结构，由于所述半导体纳米线结构的宽度间隔地加宽，从而可防止在刻蚀过程中造成所述半导体纳米线结构断裂，有利于形成超长超细的半导体纳米线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体纳米线结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；上光阻，所述光阻覆盖所述半导体衬底，并将所述光阻图形化；所述图形化的光阻为宽度间隔加宽的长条状；以所述图形化的光阻为掩模，对所述半导体衬底进行刻蚀，形成如权利要求1所述的半导体纳米线结构；去除剩余的光阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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