[发明专利]一种基于金-黑磷烯的负微分电阻场效应晶体管及其制备有效
| 申请号： | 201611169169.5 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN108206214B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张静;柯三黄 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/92;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于金‑黑磷烯的负微分电阻场效应晶体管及其制备，所述的负微分电阻场效应晶体管包括构成源极和漏极的两个金电极，位于两个金电极之间的中间散射区的二维层状材料黑磷烯，以及位于所述黑磷烯两边的栅极，其中，所述黑磷烯的两端分别与所述两个金电极接触耦合。与现有技术相比，本发明采用的黑磷烯具有独特的直接带隙半导体的电子特性，沿着锯齿(zigzag)型方向排列的黑磷烯与金电极(100)表面接触，可以形成独特的电子整流和负微分电阻效应，此外，负微分电阻效应在门电压的作用下也比较稳定，与器件的半导体衬底材料无关，该负微分电阻晶体器件优良，结构新颖，可以广泛应用于半导体纳米晶体器件当中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 黑磷 微分 电阻 场效应 晶体管 及其 制备 | ||
【主权项】：
1.一种基于金‑黑磷烯的负微分电阻场效应晶体管，其特征在于，包括构成源极和漏极的两个金电极，位于两个金电极之间的中间散射区的二维层状材料黑磷烯，以及位于所述黑磷烯两边的栅极，其中，所述黑磷烯的两端分别与所述两个金电极接触耦合。
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