[发明专利]石墨烯增强硅‑碳复合材料及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201611158064.X | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106784765A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吴孟强;李肖辉;巩峰;秦金刚;汪东霞;刘文龙 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/62 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 敖欢,葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯增强硅‑碳复合材料、制备方法以及其作为锂离子电池负极材料的用途，材料包括硅基底、中间碳层、石墨烯层；制备方法包括步骤选取微米硅或纳米硅或多孔硅的粉末进行预处理后待用；将预处理后的硅粉和中间碳层的碳源加入去离子水混合搅拌然后烘干、捣碎、煅烧，将上述粉末和氧化石墨烯加入去离子水混合然后超声搅拌混合均匀，倒入高压反应釜中水热反应、冷冻干燥，即得到石墨烯增强硅‑碳复合材料；本发明使锂离子电池的循环性能、倍率性能、充放电容量等都得到了最大的优化，所述复合材料作为锂离子电池负极，既充分保留了硅材料大比容，又极大改善了硅的循环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 增强 复合材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种石墨烯增强硅‑碳复合材料，其特征在于包括：硅基底、硅基底上的中间碳层、中间碳层外面的石墨烯层。
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