[发明专利]一种制备石墨烯纳米带的方法在审
| 申请号： | 201611157880.9 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106629686A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘欣宇;袁振洲;李百泉 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/188 | 分类号： | C01B32/188 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 尹振启,张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备石墨烯纳米带的方法，所述方法包括如下步骤1)在碳化硅衬底上制备单原子层台阶，具体为首先对碳化硅衬底片做抛光处理；然后对衬底片进行预处理，所述预处理包括化学清洗、氢刻蚀和去除氧化物，直至得到具有周期性单原子层光滑台阶的碳化硅衬底片；2)在步骤1)所获得的具有单原子层台阶的碳化硅衬底片上直接采用碳化硅外延法生长石墨烯纳米带。本发明利用了碳化硅本身具有的原子台阶和平整解理面的特点，直接采用碳化硅外延法生长石墨烯，通过调节温度、压强等条件使石墨烯在台阶上生长成为尺寸可调的石墨烯纳米带；对设备要求低，制得的GNRs缺陷少、尺寸可控、无需剥离，成功解决了侧面生长的石墨烯纳米带不利于后期器件工艺的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 石墨 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种制备石墨烯纳米带的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)在碳化硅衬底上制备单原子层台阶，具体为：首先对碳化硅衬底片做抛光处理；然后对衬底片进行预处理，所述预处理包括化学清洗、氢刻蚀和去除氧化物，直至得到具有周期性单原子层光滑台阶的碳化硅衬底片；2)在步骤1)所获得的具有单原子层台阶的碳化硅衬底片上直接采用碳化硅外延法生长石墨烯纳米带。
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