[发明专利]半导体封装件有效
| 申请号： | 201611156539.1 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107221527B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 郭丰维;廖文翔;周淳朴;陈焕能;卓联洲;沈武 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装件，包括第一半导体器件、垂直设置在第一半导体器件上方的第二半导体器件，以及接地屏蔽传输路径。接地屏蔽传输路径将第一半导体器件连接至第二半导体器件。接地屏蔽传输路径包括第一信号路径，其在第一端和第二端之间纵向延伸。第一信号路径包含导电材料。第一绝缘层设置在所述信号路径上方，并纵向位于所述第一端和所述第二端之间。第一绝缘层包含电绝缘材料。接地屏蔽层设置在所述绝缘材料上方，并纵向位于所述信号路径的所述第一端和所述第二端之间。所述接地屏蔽层包含连接至地面的导电材料。接地屏蔽层将其中接收的辐射信号导入地面，以防止第一信号路径中的感应噪音。本发明实施例涉及3D集成电路的同轴通孔和新式高隔离交叉耦合方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，包括：第一半导体器件；第二半导体器件，垂直设置在所述第一半导体器件上方；以及接地屏蔽传输路径，将所述第一半导体器件连接至所述第二半导体器件，所述接地屏蔽传输路径包括：至少一个信号路径，在第一端和第二端之间纵向延伸，所述至少一个信号路径包含导电材料，其中，所述第一端电连接至所述第一半导体器件，并且所述第二端电连接至所述第二半导体器件；第一绝缘层，设置在所述信号路径上方，纵向位于所述第一端和所述第二端之间，其中，所述第一绝缘层包含电绝缘材料；和接地屏蔽层，设置在所述绝缘材料上方，纵向位于所述信号路径的所述第一端和所述第二端之间，其中，所述接地屏蔽层包含连接至地面的导电材料。
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