[发明专利]一种制备磁性隧道结阵列的方法有效
| 申请号： | 201611156437.X | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108232002B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备磁性隧道结阵列的方法，涉及磁性随机存储器制造技术领域，通过采用带羰基或羟基官能团的气体作为离子源对磁性隧道结进行刻蚀，由于羰基或羟基官能团对掩模层和对磁性隧道结材料具有比较高的选择比，降低了在刻蚀过程中掩模的损耗，掩模材料的再次沉积和因为物理溅射而带来的磁性隧道结材料的再次沉积，有利防止记忆层和参考层导电通道的形成，对改善磁性随机存储器的磁学/电学性能和良率的提升具有显著效果。同时，离子束具有良好的方向性能，增加了各向异性刻蚀性能，有利于磁性随机存储器器件的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 磁性 隧道 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备磁性隧道结阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：形成磁性隧道结多层膜和掩膜层；图案化所述掩膜层；采用反应离子束刻蚀，所述反应离子束刻蚀的离子源包括带有羰基或羟基官能团的化合物气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611156437.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：霍尔元件模块
- 下一篇：一种垂直型磁电阻元件及其制造方法
