[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201611153626.1 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107275285B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 林加明;林俊泽;张简旭珂;林玮耿;罗光耀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括衬底、多个绝缘体、以及栅极堆叠件。衬底包括多个沟槽和多个沟槽之间的至少一个半导体鳍。绝缘体设置在沟槽中并且包括分布在其中的掺杂区域。栅极堆叠件部分覆盖至少一个半导体鳍和绝缘体。还讨论了用于制造前述FinFET的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：图案化衬底以在所述衬底中形成多个沟槽和介于所述多个沟槽之间的至少一个半导体鳍；形成介电层以填充所述沟槽并且覆盖至少一个半导体鳍；在所述介电层中形成多个掺杂区域，其中，所述掺杂区域分布在所述沟槽中；去除所述沟槽外部的介电层；部分地去除所述沟槽中的掺杂区域以在所述沟槽中形成多个绝缘体；以及形成栅极堆叠件以部分地覆盖所述至少一个半导体鳍和所述绝缘体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
