[发明专利]双阈值VDMOS器件的制作方法在审
| 申请号： | 201611149370.7 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106684001A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 唐冬;刘旸;刘昕阳;白羽;徐衡;孔明;郑阳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双阈值VDMOS器件的制作方法，属于分立器件技术领域。该方法通过对P体区的形成过程进行改进，获得具有两个阈值电压的VDMOS器件，P体区改进工艺：制备多晶硅栅极后，光刻P‑离子注入窗口，在栅极两侧形成两个p阱区Ⅰ；在两个p阱区Ⅰ内注入P型离子形成两个P体区Ⅰ；在其中一个P体区Ⅰ再次进行光刻，再次注入P型离子后具有不同掺杂浓度的P体区Ⅱ。本发明于实现了VDMOS器件的双阈值电压，实现了其多功能的应用，打开了器件多功能应用的大门，简化电路，更进一步推进产品小型化，推广器件的广泛使用。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值 vdmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双阈值VDMOS器件的制作方法，其特征在于：该方法首先在外延片上依次沉积栅氧化层和多晶硅，制备多晶硅栅极；然后形成P体区和N+源区，再在多晶硅上淀积绝缘层并在绝缘层两端形成接触孔，接触孔内贱射金属铝；其中：所述P体区的形成过程采用如下步骤后，获得具有两个阈值电压的VDMOS器件：(1)第一次光刻：制备多晶硅栅极后，光刻P‑离子注入窗口，在栅极两侧形成两个p阱区Ⅰ；(2)第一次注入：在步骤(1)形成的两个p阱区Ⅰ内注入P型离子，退火后形成两个P体区Ⅰ；(3)第二次光刻：对步骤(2)形成的一个P体区Ⅰ再次进行光刻，形成P‑离子注入窗口；(4)第二次注入：在步骤(3)形成的P‑离子注入窗口中注入P型离子，退火后形成与另一侧具有不同掺杂浓度的P体区Ⅱ。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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