[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法，通过对在衬底基材上依次沉积的金属氧化物半导体层及源极金属层进行图案化处理后进一步对经过图案化后的金属氧化物半导体层的其中一部分进行导体化处理，从而使得经过导体化处理的部分金属氧化物半导体层形成为阵列基板的漏极及像素电极，且该漏极及像素电极与未经导体化处理的部分金属氧化物半导体层连接。通过上述方式，本发明的阵列基板及其制程具有减小阵列基板的有源层与像素电极之间的接触电阻及提高生产效率的有益效果。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n提供一衬底基板；/n在所述衬底基板上依次沉积金属氧化物半导体层、还原层及源极金属层；/n通过一道光罩工艺对所述金属氧化物半导体层、所述还原层和所述源极金属层进行图案化处理，以使得所述金属氧化物半导体层的对应于源极的第一区域上覆盖有所述还原层和所述源极金属层的叠层结构，对应于所述源极与漏极之间的第二区域上不覆盖所述还原层和所述源极金属层，对应于所述漏极和像素电极的第三区域上仅覆盖有所述还原层；其中，所述通过一道光罩工艺对所述金属氧化物半导体层、所述还原层和所述源极金属层进行图案化处理的步骤包括：/n采用半道光罩工艺对所述金属氧化物半导体层、所述还原层和所述源极金属层的叠层结构进行整体图案化处理；/n采用半道光罩工艺对整体图案化处理后的所述金属氧化物半导体层、所述还原层和所述源极金属层进行一次局部图案化处理，以去除所述第二区域上的所述还原层和所述源极金属层；/n采用半道光罩工艺对一次局部图案化处理后的所述金属氧化物半导体层、所述还原层和所述源极金属层进行二次局部图案化处理，以去除所述第三区域上的所述源极金属层；/n通过退火处理使得所述第一区域和所述第三区域上的所述还原层对所述金属氧化物半导体层进行还原；其中，所述还原层的材料为还原性高于所述金属氧化物半导体层中的金属元素的金属，以使得经导体化处理的部分所述金属氧化物半导体层作为与未经导体化处理的部分所述金属氧化物半导体层电连接的漏极及像素电极。/n