[发明专利]半导体结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201611139549.4 申请日: 2016-12-12
公开(公告)号: CN106976836A 公开(公告)日: 2017-07-25
发明(设计)人: 张仪贤;郑创仁 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 在本发明实施例中,一种半导体器件包括具有多个孔的板。半导体器件还包括与板相对设置并且包括多个波纹的膜、围绕并覆盖膜一个边缘的电介质和衬底。半导体器件还包括金属导体,金属导体包括延伸穿过电介质的第一部分和位于衬底上方的第二部分,其中,第二部分与第一部分接合。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包括:板,包括多个孔;膜,与所述板相对设置并且包括多个波纹;电介质,围绕并覆盖所述膜的边缘;衬底;以及金属导体,包括:第一部分,延伸穿过所述电介质;以及第二部分,位于所述衬底上方,其中,所述第二部分与所述第一部分接合。
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