[发明专利]基于倒装芯片的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于倒装芯片的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，其自上而下包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和Si3N4钝化层(7)。其中AlGaN势垒层的下方为栅极(6)，两侧为漏极(4)和源极(5)；漏极的下方为漏极凸点(8)，源极的下方为源极凸点(9)，漏极凸点和源极凸点下方为AlN基板(10)。本发明利用AlN材料的热导率高于蓝宝石材料的特性，将蓝宝石衬底置于顶层，将AlN基板置于底层，提高了器件的热可靠性，可用于制作高频大功率集成电路。

主权项

基于倒装芯片的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，包括：衬底(1)，GaN缓冲层(2)，AlGaN势垒层(3)，Si3N4钝化层(7)，AlGaN势垒层的两侧为漏极(4)和源极(5)，AlGaN势垒层的下方为栅极(6)，其特征在于：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、Si3N4钝化层(7)这四者自上而下依次排列，漏极的下方设有漏极凸点(8)，源极的下方设有源极凸点(9)，漏极凸点和源极凸点的下方设有基板(10)。所述漏极凸点(8)和源极凸点(9)的高度均为5～10μm。