[发明专利]一种垂直结构的氮化镓异质结HEMT

摘要

本发明公开了一种垂直结构的氮化镓异质结HEMT，其包括从下至上依序设置的Si衬底层、N型重掺杂的GaN层、N型掺杂的N‑GaN层、介质钝化层和欧姆金属电极，N型掺杂的N‑GaN层刻蚀有GaN沟槽，GaN沟槽内生长AlGaN层，AlGaN层上刻蚀有AlGaN沟槽，AlGaN沟槽内从下至上依序生长未掺杂的i‑GaN层、P型轻掺杂的P‑GaN层和重掺杂的多晶硅层；欧姆金属电极包括源极、漏极和栅极，源极和栅极同在器件的正面，并以介质钝化层隔开，漏极在器件背面。本发明通过AlGaN层和N‑GaN层形成二维电子气，二维电子气通过源/漏极垂直传输，P‑GaN层和N‑GaN层形成PN结。

主权项

1.一种垂直结构的氮化镓异质结HEMT，其特征在于：包括从下至上依序设置的Si衬底层、N型重掺杂的GaN层、N型掺杂的N‑GaN层和介质钝化层，所述N型掺杂的N‑GaN层刻蚀有上下贯通的GaN沟槽，所述GaN沟槽内生长AlGaN层，所述AlGaN层内刻蚀有上下贯通的AlGaN沟槽，以使所述GaN沟槽侧壁上形成厚度为30nm无底部的AlGaN层，所述AlGaN沟槽内从下至上依序生长未掺杂的i‑GaN层、P型轻掺杂的P‑GaN层和N型重掺杂的多晶硅层；还包括欧姆金属电极，所述欧姆金属电极包括源极、漏极和栅极，所述源极和所述栅极同在器件的正面，并以所述介质钝化层隔开，所述漏极在器件背面。